در حالت کلیدزنی یا همون switching با بالا رفتن فرکانس، ترانزیستور دیگر خطی عمل نمیکند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند. به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا، از المان کم مصرف Power MOSFET (ماسفت های قدرت) استفاده می شود. اما با بالا رفتن قدرت، تلفات آن نیز زیاد میشود. المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2 قطعه فوق را دارد و در عین حال دیگر معایب BJT و POWER MOSFET ها را ندارد. این قطعه جدید IGBT نام دارد.