RSS
» کار عملی 16 - درایور ترانزیستوری موتور ( پل اچ) ( یکشنبه بیست و هشتم مهر ۱۳۹۲ )
» ویژه تابستان 95 ( جمعه هفتم خرداد ۱۳۹۵ )
» کلاس های تابستان 1395 در حال شروع شدن ( دوشنبه سوم خرداد ۱۳۹۵ )
» خبرهای خوشی در راه است... ( سه شنبه بیست و پنجم فروردین ۱۳۹۴ )
» کتاب آموزشی CodeVision AVR ( یکشنبه چهارم آبان ۱۳۹۳ )
» نرم افزار CodeVision AVR ( یکشنبه چهارم آبان ۱۳۹۳ )
» نرم افزار طراحی رگولاتور ولتاژ و جریان ( یکشنبه چهارم آبان ۱۳۹۳ )
» آیا عطسه‌ نشانه صبر در انجام کارهاست؟ ( سه شنبه بیست و یکم مرداد ۱۳۹۳ )
» یادش بخیر - شبهای قدر دوران کودکی ( جمعه بیست و هفتم تیر ۱۳۹۳ )
» اطلاعیه کار آموزی ویژه تمامی رشته ها و گرایش های مهندسی ( سه شنبه بیست و چهارم تیر ۱۳۹۳ )
» پانته آ ( یکشنبه بیست و دوم تیر ۱۳۹۳ )
» العجل مولا ( جمعه بیستم تیر ۱۳۹۳ )

در حالت کلیدزنی یا همون switching با بالا رفتن فرکانس، ترانزیستور دیگر خطی عمل نمیکند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند. به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا، از المان کم مصرف Power MOSFET (ماسفت های قدرت) استفاده می شود. اما با بالا رفتن قدرت، تلفات آن نیز زیاد میشود. المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2 قطعه فوق را دارد و در عین حال دیگر معایب BJT و POWER MOSFET ها را ندارد. این قطعه جدید IGBT نام دارد.



برچسب‌ها: IGBT ها, ترانزیستورهای محصول مشترک
دسته بندی : علمی

موضوعات
آرشیو مطالب
نویسندگان
اَبر برچسبها
درباره ما

    بسیجی گمنام خمینی ٍ "" و لا یحمل هذا العلم الا اهل البصر و صبر و العلم به مواضع حق ""
    و این پرچم مبارزه را جز افراد با بصیرت و صبور و آگاه به جایگاه حق به دوش نمی کشند .

    این وبلاگ متعلق به گروهی از سربازان حقیقی حضرت بقیه الله الاعظم می باشد که در عرصه جهاد علمی و فرهنگی فعالیت می کند .

    ایمیل : malekipcb@gmail.com